申港证券--电子行业研究周报：功率半导体推进第三代半导体材料发展【行业研究】

研究报告之久

【研究报告内容摘要】
            
                    投资摘要：
            
                    市场回顾：
            
                    本周（2020.08.17-2020.08.23）上证指数上涨 0.61%，深证成指上涨-0.08%，创业板指上涨-1.36%，申万电子指数上涨-1.37%，位列申万 28个一级行业周涨跌幅第 24位。目前，电子板块 TTM 市盈率为 59.6倍，位列申万 28个一级行业的第 4位。
            
                    股价涨幅前五名：奥海科技、海能实业、联创光电、经纬辉开、格林达；
            
                    股价跌幅前五名：安集科技、敏芯股份、杰普特、芯朋微、南亚新材。
            
                    每周一谈：功率半导体推进第三代半导体材料发展碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌、ST 等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。华为旗下的哈勃科技投资有限公司在 2019年 8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股 10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
            
                    相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的 3倍；导热率为硅的 4-5倍；
            
                    击穿电压为硅的 8倍；电子饱和漂移速率为硅的 2倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。
            
                    根据 Omdia 的《2020年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，到 2020年底，全球SiC 和 GaN 功率半导体的销售收入预计将从 2018年的 5.71亿美元增至 8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到 2029年将超过 50亿美元。
            
                    根据 Omdia 的数据，到 2020年底，SiC MOSFET 预计将产生约 3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。从 2021年起，SiC MOSFET 将以稍快的速度增长，成为最畅销的分立 SiC 功率器件。
            
                    得益于混合动力和电动汽车，电源和光伏（PV）逆变器需求的增长，预计到2021年，SiC＆GaN Power 的收入将超过 10亿美元。
            
                    2020年一季度，国内就有多个第三代半导体项目有新的进展。2020年 3月，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地、积塔 6英寸碳化硅生产线两个项目开始投产。一季度，和通讯（徐州）第三代半导体产业基地、绿能芯创碳化硅芯片项目以及博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目三个项目开工；泰科天润运营总部及碳化硅器件生产基地项目、高启电子氮化镓外延片项目等多个项目实现签约。
            
                    投资策略及组合：SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料在新能源汽车、高速轨道交通、新一代移动通信、智能电网等众多领域有着广阔的应用前景，未来将成为能源、交通、国防等产品的重要新材料。我们建议关注各细分领域龙头企业的投资机会，推荐组合：赛腾股份、闻泰科技、华润微、三安光电、兆易创新各 20%。
            
                    风险提示：下游需求低于预期；行业发展低于预期；疫情影响大于预期。
e906af28-f74e-4be3-af7f-3fc25a9716e3.pdf