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【研究报告内容摘要】
射频功率放大器是射频前端模组的重要器件,负责将发射通道的射频信号放大。射频发收器中调制振荡电路所产生的射频信号功率较小,需经过一系列的放大(缓冲放大器、可控放大器、末级放大器)获得足够的射频功率后,馈送至天线上。射频功率放大器主要应用于手机终端、通信基站、物联网设备、军事气象雷达等领域。本篇报告主要研究射频功率放大器在手机及基站中的应用。中国当前主流射频工艺为GaAs工艺,由于GaAs工艺具备高频的特点,在市场上的份额逐年提升,替代传统硅CMOS工艺的逻辑已得到市场验证。但GaAs工艺生产的射频器件功率较低,达不到宏基站对射频器件的要求。未来,5G射频器件将会转向频率更高、功率更高的GaN工艺。
5G基站加速建设,基站射频功率放大器迎来量价齐升
据在头部无线设备厂商担任战略总监的专家预测,5G基站建设总数预计为560万架,其中包括260万架宏基站及300万架微基站。宏基站信号覆盖面积较大,共有6个扇区,每个扇区采用64通道天线方案,因此单个宏基站需要376副天线,每副天线射频前端模组中需要一个射频功率放大器。微基站信号覆盖面积较小,仅用一个扇区,因此仅需64副天线与64个功率放大器。5G建设周期为2020年-2024年,未来5年,5G基站建设将共消耗11.7亿个射频功率放大器。
射频器件集成度提高对封装技术提出更高要求
随着通信频段的增加,移动终端中射频器件数量与种类逐渐增多。为满足移动终端轻薄便携的需求,射频器件逐渐从分立器件发展至集成模组化。SiP封装技术可满足射频器件模组化的需求。SiP封测从封装和组装的角度,将若干裸芯片和微型无源器件集成到同一个小基板,并形成具有系统功能的高性能微型组件。
SiP的集成对象可是芯片、分立器件以及封装天线等器件。SiP的优势在于:(1)器件微型化,满足智能终端高集成度要求;
(2)保证性能、降低功耗;(3)技术集成度高、研发周期短且技术路线成本可控。根据Yole预测,全球移动端射频器件SiP封装市场规模将由2018年的33亿美金增长到2023年的53亿美金。
射频器件迎来新进入者,行业竞争加剧5G高频段的开发使得射频器件的市场需求成倍放大,吸引大批巨头企业切入射频器件赛道如英特尔、三星、华为海思、联发科等芯片设计顶尖企业纷纷加入射频器件的的研发。华为为中国消费电子与无线设备巨头企业,基于芯片设计领域的领先技术,亦开始全面布局射频器件领域,目前在低噪声功率放大器、射频功率放大器、天线开关等领域已实现量产。2019年9月华为发布的Mate30采用自研的功率放大器。此外,众多规模较小的中国芯片设计公司亦进入射频芯片设计领域,而中小设计公司进入行业后普遍采用在低端领域重复设计和低价竞争的策略,导致行业存在过度竞争的隐患。随着新进入者的增加,射频器件行业面临重新洗牌。
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