国盛证券--电子行业周报:数据中心超预期,“芯”需求共振!【行业研究】

研究报告之久

【研究报告内容摘要】
            
                    本周英特尔和海力士最新一季度财报均超预期,需求侧增长是超预期的共同因素! 数据中心回暖明显,引起需求共振,拉动英特尔的 CPU、海力士的 DRAM,推动“芯”拐点来临!移动端(预计明年高端手机 DRAM 平均增长至 5GB, NAND 增长至 100GB 以上)持续扩容和渗透,是存储拐点的另一个关键催化,明年 5G 手机在单机容量和换机需求两重维度下将带动半导体需求侧的进一步超预期!我们认为需求端被贸易战、宏观经济下行影响所推迟和压抑之后, 本轮“芯”拐点重要特点将是需求的复苏比往往更加强劲,数据中心、移动端、AIOT、汽车电子将持续会有新的爆点。
            
                    数据中心回暖是英特尔财报超预期的关键词! 英特尔在 2019年 10月 25日发布季度财报,提高了全年收入和利润率指引。19Q3数据中心增长4%,预期 19Q4增长 6~8%,数据中心持续回暖成为英特尔财报超预期的关键因素。
            
                    海力士财报关键词是存储拐点! DRAM 价格单季度上涨, NAND 跌幅收窄,下游库存逐渐回到健康水位,需求显著回暖及供给端的收缩,共同推进存储拐点。 存储需求侧方面,移动端存储扩容(预计明年高端手机 DRAM平均增长至 5GB, NAND 增长至 100GB 以上),数据中心采购回暖推动DRAM 增加, PC 端 SSD 快速渗透,共同带动存储需求端的迅速增长。存储供给侧方面,海力士继续降低 DRAM 和 NAND 的资本开支,并将 M10部分 DRAM 产能向 CIS 转移。
            
                    智能手机消耗 35%的 DRAM Bit,消耗 40%的 NAND Bit。因此,移动端扩容的幅度和持续性是存储需求增长的长期动力。 2019年将迎来智能手机创新大年, 5G 促进移动端存储进一步提升,移动端需求将迎来出货量和单机容量的双重提升!预计明年高端手机 DRAM 平均增长至 5GB,NAND 增长至 100GB 以上!区块链分布式记账方式需要消耗较多资源,对于算力、存储乃至电力等资源要求较高,将带动晶圆、存储、 GPU、 mos 等综合需求。
            
                    建议重点关注: 【半导体】存储:兆易创新、北京君正; 光学芯片:韦尔股份; 射频:三安光电、卓胜微; 模拟:圣邦股份; 设计:紫光国微、汇顶科技、博通集成、景嘉微、中颖电子; IDM:闻泰科技、士兰微、扬杰科技; 设备:长川科技、北方华创、精测电子、至纯科技、万业企业; 材料:兴森科技、中环股份、石英股份; 封测:长电科技、华天科技、晶方科技、通富微电; 【 5G 之消费电子】 :立讯精密、精研科技、领益智造、歌尔股份、 蓝思科技、 电连技术、苏大维格、智动力、信维通信、硕贝德、大族激光、 共达电声、瀛通通讯; 【 5G 之光学】 :韦尔股份、联创电子、苏大维格、水晶光电、舜宇光学、立讯精密、歌尔股份、欧菲光、永新光学; 【 5G 之 PCB】 :鹏鼎控股、生益科技、 深南电路、沪电股份、东山精密、景旺电子、弘信电子、奥士康、崇达技术; 【 5G 之散热】 精研科技、领益智造、中石科技、碳元科技、飞荣达; 【安防】 :海康威视、大华股份。
            
                    风险提示: 下游需求不及预期,行业竞争加剧。
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