国盛证券--电子行业半导体深度系列:化合物,5G+电动车驱动产业高速发展【行业研究】

研究报告之久

【研究报告内容摘要】
            
                    化合物半导体性能优异,发展前景广阔。化合物半导体主要指砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第二、第三代半导体,相比第一代单质半导体,在高频性能、高温性能方面优异很多。砷化镓:具有高频、抗辐射、耐高温的特性,大规模应用于无线通讯领域,目前已经成为PA和Switch的主流材料;氮化镓:主要被应用于通讯基站、功率器件等领域,功放效率高、功率密度大,因而能节省大量电能,同时减少基站体积和质量;碳化硅:主要用于大功率高频功率器件,IHS预测到2025年SiC功率半导体的市场规模有望达到30亿美元,在未来的10年内,SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域,近期碳化硅产业化进度开始加速,意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。
            
                    5G提速,射频市场有望高速成长。4月初,美、韩率先宣布5G商用,日本向四大运营商分配5G频段,预计明年春正式商用。在海外5G积极推进商用的节奏下,全球5G推进提速预期强烈,从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域,目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大,预计到2025年,在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓有望替代大部分LDMOS份额,占据射频器件市场半壁江山。
            
                    汽车电气化推动碳化硅市场快速成长。据ICinsights预测,2021年汽车IC市场将会增长到436亿美元,2017年到2021年之间的复合增长率为12.5%,为IC领域复合增长率最高的下游应用。同时,随着汽车电气化进程不断推进,尤其是电动车等新能源汽车的逐渐普及,使汽车硅含量不断提升,电动车以及由此带动的各类基础设施建设将成为碳化硅市场的主要驱动力。
            
                    建议关注:【三安光电】全工艺平台布局,持续加码化合物半导体,III-V族化合物半导体是三安光电下一个十年的核心成长驱动力;【CREE】碳化硅基氮化镓龙头,专利护城河全球第一,Wolfspeed持续高增长。
            
                    风险提示:下游需求不及预期、5G进展不及预期、汽车电气化进展不及预期。
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